IXXH30N60B3

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IXXH30N60B3概述

IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3

IGBT PT 600V 60A 270W Through Hole TO-247AD


得捷:
IGBT 600V TO247


贸泽:
IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 270W; TO247AD


IXXH30N60B3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 270000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXH30N60B3
型号: IXXH30N60B3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3
替代型号IXXH30N60B3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXXH30N60B3

IXYS Semiconductor

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IXXH30N60B3D1

IXYS Semiconductor

完全替代

IXXH30N60B3和IXXH30N60B3D1的区别

IXGH30N60B4

IXYS Semiconductor

类似代替

IXXH30N60B3和IXGH30N60B4的区别

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