IXGQ85N33PCD1

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IXGQ85N33PCD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 330V 85A 150000mW 3Pin3+Tab TO-3P

IGBT - 330 V 85 A 150 W 通孔 TO-3P


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IXGQ85N33PCD1


得捷:
IGBT 330V 85A 150W TO3P


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 85A 3-Pin3+Tab TO-3P


IXGQ85N33PCD1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

反向恢复时间 250 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGQ85N33PCD1
型号: IXGQ85N33PCD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 330V 85A 150000mW 3Pin3+Tab TO-3P

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