IXGH64N60A3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH64N60A3概述

Igbt 600V 460W To247

IGBT PT 600 V 460 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 460W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 64A 460000mW 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 460W TO247

IXGH64N60A3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 460 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 460 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH64N60A3

型号： IXGH64N60A3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 600V 460W To247