IXXK110N65B4H1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXXK110N65B4H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole TO-264 IXXK

欧时:
IGBT 110A 650V TO264

得捷:
IGBT 650V 240A 880W TO264

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin3+Tab TO-264AA

DeviceMart:
IGBT 650V 240A 880W TO264

IXXK110N65B4H1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 880000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 880 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 880000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXK110N65B4H1

型号： IXXK110N65B4H1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3Pin3+Tab TO-264AA