IXGA12N120A3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGA12N120A3概述

IGBT 晶体管 1200V, 12A IGBT; G Series

IGBT PT 表面贴装型 TO-263（IXGA）

得捷:
IGBT 1200V 22A 100W TO263

贸泽:
IGBT 晶体管 1200V, 12A IGBT; G Series

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100000mW 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXGA12N120A3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 10.41 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA12N120A3

型号： IXGA12N120A3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 1200V, 12A IGBT; G Series

立即咨询

替代型号IXGA12N120A3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXGA12N120A3 IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXGA12N120A2 IXYS Semiconductor	类似代替	IXGA12N120A3和IXGA12N120A2的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXGA12N120A3

IXYS Semiconductor

当前型号

IXGA12N120A2

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGA12N120A3和IXGA12N120A2的区别