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IXGP4N100图片1

IXGP4N100概述

Igbt 1000V 8A 40W To220ab

IGBT 1000V 8A 40W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 1000V 8A 40W TO220AB

IXGP4N100中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP4N100

型号： IXGP4N100

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 1000V 8A 40W To220ab