IXYP20N65C3D1M参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXYP20N65C3D1M概述

IGBT Transistors 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220

IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 650V 18A 50W TO220

贸泽:
IGBT Transistors 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 50000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXYP20N65C3D1M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 50 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYP20N65C3D1M

型号： IXYP20N65C3D1M

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT Transistors 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220