IXGH12N90C参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH12N90C概述

Trans IGBT Chip N-CH 900V 24A 100000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 900V 24A 100W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 24 Amps 900V 3 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 24A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 900V 24A 100W TO247AD

IXGH12N90C中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH12N90C

型号： IXGH12N90C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 900V 24A 100000mW 3Pin3+Tab TO-247

替代型号IXGH12N90C