IXXK100N60C3H1

IXXK100N60C3H1图片1
IXXK100N60C3H1图片2
IXXK100N60C3H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin3+Tab TO-264

IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 IXXK


得捷:
IGBT 600V 170A 695W TO264


欧时:
IGBT 100A 600V TO247AD


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin3+Tab TO-264


DeviceMart:
IGBT 600V 170A 695W TO264


IXXK100N60C3H1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 695 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 695000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXK100N60C3H1
型号: IXXK100N60C3H1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin3+Tab TO-264
替代型号IXXK100N60C3H1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXXK100N60C3H1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXSK40N60CD1

IXYS Semiconductor

类似代替

IXXK100N60C3H1和IXSK40N60CD1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台