IXGK50N60BU1概述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA
IGBT - 600 V 75 A 300 W 通孔 TO-264（IXGK）
得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO264AA
贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.3 Rds
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-264AA
IXGK50N60BU1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXGK50N60BU1
型号： IXGK50N60BU1
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA