IXGP12N120A3

IXGP12N120A3图片1
IXGP12N120A3概述

Igbt 1200V 22A 100W To220

IGBT PT 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 1200V 22A 100W TO220


IXGP12N120A3中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP12N120A3
型号: IXGP12N120A3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Igbt 1200V 22A 100W To220

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