IXGA24N120C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGA24N120C3概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT PT 1200V 48A 250W Surface Mount TO-263 IXGA

得捷:
IGBT 1200V 48A 250W TO263

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3-Pin2+Tab D2PAK

DeviceMart:
IGBT PT 1200V 48A TO-263

IXGA24N120C3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 10.41 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA24N120C3

型号： IXGA24N120C3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3Pin2+Tab D2PAK