IXGK82N120A3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGK82N120A3概述

IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBTs

IGBT PT 通孔 TO-264（IXGK）

得捷:
IGBT 1200V 260A 1250W TO264

贸泽:
IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBTs

IXGK82N120A3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 1250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK82N120A3

型号： IXGK82N120A3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBTs