IXGR80N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR80N60B概述

IGBT Transistors 85A 600V 2.3 Rds

IGBT - 600 V 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 85 Amps 600V 2.3 Rds

艾睿:
HIPERFAST IGBT ISOPLUS247 ELECTRICALLY ISOLATED BACK SURFACE

IXGR80N60B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR80N60B

型号： IXGR80N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT Transistors 85A 600V 2.3 Rds