IXGA12N60CD1

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IXGA12N60CD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin2+Tab TO-263AA

IGBT - 表面贴装型 TO-263(IXGA)


得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO263AA


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab TO-263AA


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab TO-263AA


IXGA12N60CD1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA12N60CD1
型号: IXGA12N60CD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin2+Tab TO-263AA
替代型号IXGA12N60CD1
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