Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-268AA
IGBT - 1200 V 30 A 150 W 表面贴装型 TO-268
得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO268
贸泽:
IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.8 Rds
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-268AA
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXGT15N120CD1 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXGT15N120BD1 IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXGT15N120CD1和IXGT15N120BD1的区别 |
IXGT28N120BD1 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXGT15N120CD1和IXGT28N120BD1的区别 |
IXGT20N120BD1 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXGT15N120CD1和IXGT20N120BD1的区别 |