IXYP8N90C3D1

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IXYP8N90C3D1概述

IGBT 900V 8A Through Hole High-Speed IGBT Tube - TO-220-3

IGBT - 900 V 20 A 125 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 900V 20A 125W TO220


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXYP8N90C3D1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 900 V

反向恢复时间 114 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYP8N90C3D1
型号: IXYP8N90C3D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 900V 8A Through Hole High-Speed IGBT Tube - TO-220-3
替代型号IXYP8N90C3D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXYP8N90C3D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGP7N60CD1

IXYS Semiconductor

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IXYP8N90C3D1和IXGP7N60CD1的区别

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