IXGK72N60B3H1

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IXGK72N60B3H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3Pin3+Tab TO-264

IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor IGBT product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT  process  and  utilize  IXYS’  advanced  Punch-Though  PT  technology,  tailored to provide higher surge current capabilities, lower saturation voltages, and lower switching losses.


得捷:
IGBT 600V 75A 540W TO264


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3-Pin3+Tab TO-264


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3-Pin3+Tab TO-264


IXGK72N60B3H1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 540000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 540 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGK72N60B3H1
型号: IXGK72N60B3H1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3Pin3+Tab TO-264

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