IXGX100N170参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGX100N170概述

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT NPT 1700 V 170 A 830 W 通孔 PLUS247™-3

得捷:
IGBT 1700V 170A 830W PLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGX100N170中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 830000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

额定功率Max 830 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGX100N170

型号： IXGX100N170

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3Pin3+Tab PLUS 247