IXGH120N30B3

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IXGH120N30B3概述

Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 540000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 300 V 75 A 540 W 通孔 TO-247AD


得捷:
IGBT 300V 75A 540W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
IGBT 300V 75A 540W TO247


IXGH120N30B3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 540000 mW

击穿电压集电极-发射极 300 V

额定功率Max 540 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH120N30B3
型号: IXGH120N30B3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 540000mW 3Pin3+Tab TO-247

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