IXGT24N170AH1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGT24N170AH1概述

IGBT 1700V 24A 250W TO268

IGBT NPT 1700 V 24 A 250 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 1700V 24A 250W TO268

贸泽:
IGBT Transistors 48 Amps 1700V 6.0 V Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 24A

IXGT24N170AH1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 200 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGT24N170AH1

型号： IXGT24N170AH1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1700V 24A 250W TO268