IXGH48N60A3

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IXGH48N60A3概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 600 V 120 A 300 W 通孔 TO-247AD


得捷:
IGBT 600V 120A 300W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds


艾睿:
The IXGH48N60A3 IGBT transistor from Ixys Corporation is the best electronic switch for fast switching. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


Win Source:
IGBT 600V 120A 300W TO247


IXGH48N60A3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGH48N60A3
型号: IXGH48N60A3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247
替代型号IXGH48N60A3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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