IXGN200N60B3

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IXGN200N60B3概述

IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns ton 中速 IGBT - SOT-227B

IGBT 模块 PT 单路 600 V 300 A 830 W 底座安装 SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 4-Pin SOT-227B


TME:
Urmax:600V; Ic:200A; P:830W; Ifsm:1.2kA; SOT227B; screw; screw


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B


IXGN200N60B3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 830 W

针脚数 4

耗散功率 830 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 26nF @25V

额定功率Max 830 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGN200N60B3
型号: IXGN200N60B3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns ton 中速 IGBT - SOT-227B
替代型号IXGN200N60B3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGN200N60B3

IXYS Semiconductor

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