IXGH32N100A3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGH32N100A3概述

IGBT 1000V 75A 300W TO247AD

IGBT PT 1000 V 75 A 300 W 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 1000V 75A 300W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 32 Amps 1000V

Win Source:
IGBT 1000V 75A 300W TO247AD

IXGH32N100A3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH32N100A3

型号： IXGH32N100A3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1000V 75A 300W TO247AD