IXBH28N170A参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXBH28N170A概述

MOSFET N-CH 1700V 30A TO-247AD

IGBT 1700V 30A 300W Through Hole TO-247AD IXBH

得捷:
IGBT 1700V 30A 300W TO247AD

IXBH28N170A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 360 ns

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBH28N170A

型号： IXBH28N170A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 1700V 30A TO-247AD