IXBH2N250

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IXBH2N250概述

Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 2500 V 5 A 32 W 通孔 TO-247AD


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IXBH2N250


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IGBT 2500V 5A 32W TO247


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Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 5A 3-Pin3+Tab TO-247AD


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Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 5A 3-Pin3+Tab TO-247AD


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Transistor IGBT 2500V 5A 32W TO247


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IGBT 2500V 5A 32W TO247


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IGBT 2500V 5A 32W TO247 / IGBT 2500 V 5 A 32 W Through Hole TO-247AD


IXBH2N250中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 32000 mW

击穿电压集电极-发射极 2500 V

反向恢复时间 920 ns

额定功率Max 32 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXBH2N250
型号: IXBH2N250
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

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