IXYX140N90C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXYX140N90C3概述

Trans IGBT Chip N-CH 900V 310A 1630000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT - 900 V 310 A 通孔 PLUS247™-3

得捷:
IGBT 900V 310A 1630W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 310A 1630000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXYX140N90C3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1630000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 1630 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1630000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXYX140N90C3

型号： IXYX140N90C3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 900V 310A 1630000mW 3Pin3+Tab PLUS 247