IXGT28N120BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGT28N120BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT PT 1200V 50A 250W Surface Mount TO-268

得捷:
IGBT 1200V 50A 250W TO268

贸泽:
IGBT Transistors 50 Amps 1200V 3.5 V Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin2+Tab TO-268

IXGT28N120BD1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT28N120BD1

型号： IXGT28N120BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin2+Tab TO-268

替代型号IXGT28N120BD1