IXGH48N60A3D1

IXGH48N60A3D1图片1
IXGH48N60A3D1图片2
IXGH48N60A3D1图片3
IXGH48N60A3D1图片4
IXGH48N60A3D1图片5
IXGH48N60A3D1图片6
IXGH48N60A3D1图片7
IXGH48N60A3D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247

IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor IGBT product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT  process  and  utilize  IXYS’  advanced  Punch-Though  PT  technology,  tailored to provide higher surge current capabilities, lower saturation voltages, and lower switching losses.


得捷:
IGBT 600V 300W TO247AD


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
IGBT 600V 300W TO247AD


IXGH48N60A3D1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH48N60A3D1
型号: IXGH48N60A3D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247
替代型号IXGH48N60A3D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGH48N60A3D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGH38N60U1

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGH48N60A3D1和IXGH38N60U1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台