IXGR50N160H1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR50N160H1概述

Igbt 1600V 75A 240W Isoplus247

IGBT 1600V 75A 240W Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 1600V 75A 240W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors HIGH VOLT NPT IGBTS SONIC-FRD 1600V 75A

IXGR50N160H1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1600 V

反向恢复时间 230 ns

额定功率Max 240 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR50N160H1

型号： IXGR50N160H1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 1600V 75A 240W Isoplus247