IXBH42N170A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBH42N170A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 1700 V 42 A 357 W 通孔 TO-247AD（IXBH）

得捷:
IGBT 1700V 42A 357W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 42A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXBH42N170A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 357000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 330 ns

额定功率Max 357 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBH42N170A

型号： IXBH42N170A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3Pin3+Tab TO-247AD