IXGT15N120BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGT15N120BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-268AA

IGBT - 1200 V 30 A 150 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-268AA

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-268AA

IXGT15N120BD1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT15N120BD1

型号： IXGT15N120BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-268AA

替代型号IXGT15N120BD1