IXXH50N60B3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXXH50N60B3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin

IGBT PT 通孔 TO-247（IXXH）

得捷:
IGBT 600V 120A 600W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin3+Tab TO-247

IXXH50N60B3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 600 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXH50N60B3

型号： IXXH50N60B3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin

替代型号IXXH50N60B3