IXGP2N100

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IXGP2N100概述

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 4A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220

IGBT 1000V 4A 25W Through Hole TO-220AB


得捷:
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB


贸泽:
IGBT Transistors 4 Amps 1000V 2.7 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220


IXGP2N100中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP2N100
型号: IXGP2N100
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1000V 4A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220

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