Trans IGBT Chip N-CH 1000V 4A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220
IGBT 1000V 4A 25W Through Hole TO-220AB
得捷: IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
贸泽: IGBT Transistors 4 Amps 1000V 2.7 Rds
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 1KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220
耗散功率 25000 mW
击穿电压集电极-发射极 1000 V
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册