IXGT15N120B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGT15N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 180000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT PT 1200 V 30 A 180 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 1200V 30A 180W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-268

IXGT15N120B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 180000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 180 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT15N120B

型号： IXGT15N120B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 180000mW 3Pin2+Tab TO-268