IXGB200N60B3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGB200N60B3概述

Igbt 600V 75A 1250W Plus264

IGBT PT 通孔 PLUS264™

得捷:
IGBT 600V 75A 1250W PLUS264

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 1250000mW 3-Pin3+Tab PLUS 264

IXGB200N60B3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 1250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGB200N60B3

型号： IXGB200N60B3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 600V 75A 1250W Plus264