IXGP12N100AU1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGP12N100AU1概述

IGBT 晶体管 24Amps 1000V

IGBT 1000V 24A 100W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

贸泽:
IGBT 晶体管 24Amps 1000V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXGP12N100AU1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP12N100AU1

型号： IXGP12N100AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 24Amps 1000V