IXGF20N300

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IXGF20N300概述

Trans IGBT Chip N-CH 3000V 22A 100000mW 3Pin ISOPLUS I4-PAC

IGBT - 通孔 ISOPLUS i4-PAC™


得捷:
IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK


贸泽:
IGBT Transistors


艾睿:
Don&s;t be afraid to step up the amps in your device when using this IXGF20N300 IGBT transistor from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 100000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 3000 V. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 22A 100000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC


DeviceMart:
IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK


IXGF20N300中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 3000 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGF20N300
型号: IXGF20N300
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 3000V 22A 100000mW 3Pin ISOPLUS I4-PAC

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