IXBF20N360参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBF20N360概述

Igbt 3600V 45A Isoplus I4pak

IGBT - 通孔 ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 3600V 45A 230000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAK

IXBF20N360中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3600 V

反向恢复时间 1.7 µs

额定功率Max 230 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBF20N360

型号： IXBF20N360

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 3600V 45A Isoplus I4pak