IXGH40N60A3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGH40N60A3D1概述

MOSFET 40A 600V 1.25 Rds

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 600V TO-247

贸泽:
MOSFET 40 Amps 600V 1.25 Rds

Win Source:
IGBT 600V TO-247

IXGH40N60A3D1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 1.25 Ω

漏源击穿电压 600 V

击穿电压集电极-发射极 600 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH40N60A3D1

型号： IXGH40N60A3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET 40A 600V 1.25 Rds

替代型号IXGH40N60A3D1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXGH40N60A3D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

SKW25N120

英飞凌

功能相似

IXGH40N60A3D1和SKW25N120的区别