IXXH150N60C3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXXH150N60C3概述

Igbt 600V To247

IGBT PT 600V 300A 1360W Through Hole TO-247AD

得捷:
IGBT 600V TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW TO-247

IXXH150N60C3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 1360 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1360000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXH150N60C3

型号： IXXH150N60C3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 600V To247