Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3Pin2+Tab TO-268
IGBT PT 900V 75A 400W Surface Mount TO-268
得捷: IGBT 900V 75A 400W TO268
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin2+Tab TO-268
耗散功率 400000 mW
击穿电压集电极-发射极 900 V
额定功率Max 400 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
高度 5.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册