IXGA15N100C参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGA15N100C概述

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-263AA

IGBT - 表面贴装型 TO-263（IXGA）

得捷:
IGBT 1000V 30A 150W TO263AA

贸泽:
IGBT Transistors 30 Amps 1000V 3.5 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 30A 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXGA15N100C中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA15N100C

型号： IXGA15N100C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1000V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-263AA