IXYN120N120C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXYN120N120C3概述

IGBT Transistors

IGBT Module Single 1200V 240A 1200W Surface Mount SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 1200V 240A SOT227B

贸泽:
IGBT Transistors

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 1200000mW SOT-227

IXYN120N120C3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 1200 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYN120N120C3

型号： IXYN120N120C3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT Transistors