IXGT30N120BD1

IXGT30N120BD1图片1
IXGT30N120BD1概述

IGBT 1200V TO268

IGBT 1200V Surface Mount TO-268


得捷:
IGBT 1200V TO268


IXGT30N120BD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT30N120BD1
型号: IXGT30N120BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 1200V TO268

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