IXGK320N60A3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGK320N60A3概述

IGBT 600V 320A 1000W TO264AA

IGBT PT 600 V 320 A 1000 W 通孔 TO-264（IXGK）

得捷:
IGBT 600V 320A 1000W TO264AA

贸泽:
IGBT Transistors 320 Amps 600V

富昌:
IXGK320N60A3 Series 600 V 320 A Flange Mount Ultra-Low Vsat PT IGBT - TO-264-3

IXGK320N60A3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 kW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 1000 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

高度 26.59 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK320N60A3

型号： IXGK320N60A3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 320A 1000W TO264AA