IXYP15N65C3D1M参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXYP15N65C3D1M概述

Igbt 650V 16A 48W To-220

IGBT PT 650V 16A 48W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 650V 16A 48W TO-220

IXYP15N65C3D1M中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 48 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYP15N65C3D1M

型号： IXYP15N65C3D1M

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 650V 16A 48W To-220