IXBF20N300参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBF20N300概述

Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3Pin ISOPLUS I4-PAC

IGBT 3000V 34A 150W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

IXBF20N300中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 1.35 µs

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-i4-3

外形尺寸

宽度 5.21 mm

封装 ISOPLUS-i4-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBF20N300

型号： IXBF20N300

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3Pin ISOPLUS I4-PAC