IXBN42N170A概述
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 312000mW 4Pin SOT-227B
IGBT 模块 - 单路 1700 V 42 A 312 W 底座安装 SOT-227B
得捷:
IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
贸泽:
IGBT Transistors 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 42A 4-Pin SOT-227B
IXBN42N170A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 312000 mW
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 3.5nF @25V
额定功率Max 312 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IXBN42N170A
型号： IXBN42N170A
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 312000mW 4Pin SOT-227B