650V 170A Through Hole IGBT GenX3TM w/ Sonic Diode - TO-247
IGBT PT 通孔 TO-247(IXYH)
得捷: IGBT 650V 170A 750W TO247
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 650V 170A 750000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 150 ns
额定功率Max 750 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册