IXYH75N65C3H1

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IXYH75N65C3H1概述

650V 170A Through Hole IGBT GenX3TM w/ Sonic Diode - TO-247

IGBT PT 通孔 TO-247(IXYH)


得捷:
IGBT 650V 170A 750W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 170A 750000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXYH75N65C3H1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 150 ns

额定功率Max 750 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYH75N65C3H1
型号: IXYH75N65C3H1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:650V 170A Through Hole IGBT GenX3TM w/ Sonic Diode - TO-247

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